ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术

并有助于基站和数据中心等领域的电源实现更低功耗和小型化～　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术,GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能,

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内容核心词：器件电压GaN电路工作

软文摘要："～解决了GaN器件的栅极耐压问题,并有助于基站和数据中心等领域的电源实现更低功耗和小型化～　　全球知名半导体制造商ROHM面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,开发出针对150V耐压GaN HEMT*1的、高达8V的栅极耐压*2技术。　　<开发中的GaN器件的特点>　　ROHM即将推出的目前正在开发中的GaN器件具有以下特点:　　1. 采用ROHM自有结构,将栅极-源极间额定电压提高至8V　　普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V,而其栅极-源极间额定电压为6V,其电压裕度非常小,只有1V。"

分词提取：ROHM，电源电路，GaN HEMT*1，IoT，48V，LiDAR，驱动电路，便携式设备，　　*1，氮化镓，电子迁移率晶体管

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