ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术
并有助于基站和数据中心等领域的电源实现更低功耗和小型化~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术,GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能,
科技
1699 字
5 张
628 个
无风险
积极
三段式
0 个
rohm、额定电压、gan
0 处
0 家
2021-04-09 22:37:21
检测维度 | 状态 | 置信度 | 违禁词 |
---|---|---|---|
暴恐违禁 不合国家法规的暴恐、赌博、毒品等违法内容 | 通过 |
0.014 | 无 |
文本色情 不合网络规范的色情内容 | 通过 |
0.000 | 无 |
政治敏感 涉政敏感、反动等不良信息 | 通过 |
0.412 | 无 |
营销推广 含有推广或售卖意向的内容 | 通过 |
0.009 | 无 |
低俗辱骂 低俗辱骂的垃圾文本内容 | 通过 |
0.009 | 无 |
低质灌水 无实意字符或乱码等特征的灌水类文本 | 通过 |
0.283 | 无 |
软文标题:ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术(该标题为三段式标题)
内容字数:1699 字的软文是否过于冗长?精简内容(1000字左右)可节约读者时间,降低弃读概率。
包含图片:文章图片不多不少,真好。
情感描述:文章情感描述正面积极,继续保持哦!
内容纠错:无
软文行业:科技
内容标签: rohm(0.912041)额定电压(0.909519)gan(0.903093)
内容核心词:器件电压GaN电路工作
软文摘要:"~解决了GaN器件的栅极耐压问题,并有助于基站和数据中心等领域的电源实现更低功耗和小型化~ 全球知名半导体制造商ROHM面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,开发出针对150V耐压GaN HEMT*1的、高达8V的栅极耐压*2技术。 <开发中的GaN器件的特点> ROHM即将推出的目前正在开发中的GaN器件具有以下特点: 1. 采用ROHM自有结构,将栅极-源极间额定电压提高至8V 普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V,而其栅极-源极间额定电压为6V,其电压裕度非常小,只有1V。"
分词提取:ROHM,电源电路,GaN HEMT*1,IoT,48V,LiDAR,驱动电路,便携式设备, *1,氮化镓,电子迁移率晶体管
词性 | 统计 | 词性 | 统计 | 词性 | 统计 | 词性 | 统计 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
普通名词 | 237 | 方位名词 | 22 | 处所名词 | 2 | 时间名词 | 4 |
人名 | 6 | 地名 | 0 | 机构团体名 | 0 | 作品名 | 1 |
其他专名 | 27 | 普通动词 | 155 | 动副词 | 0 | 名动词 | 58 |
形容词 | 51 | 副形词 | 2 | 名形词 | 0 | 副词 | 33 |
数量词 | 22 | 量词 | 0 | 代词 | 20 | 介词 | 34 |
连词 | 38 | 助词 | 95 | 其他虚词 | 5 | 标点符号 | 133 |
原文句数:21,阅读时间 ≈ 3分23秒,朗读时间 ≈ 8分29秒
# | 媒体名称 | 发布网址 | 查看 |
---|