科技
3223 字
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积极
二段式
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电感、mosfet、半导体封装
0 处
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2021-01-28 11:24:45
检测维度 | 状态 | 置信度 | 违禁词 |
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暴恐违禁 不合国家法规的暴恐、赌博、毒品等违法内容 | 通过 |
0.007 | 无 |
文本色情 不合网络规范的色情内容 | 通过 |
0.028 | 无 |
政治敏感 涉政敏感、反动等不良信息 | 通过 |
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0.173 | 无 |
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0.008 | 无 |
软文标题:采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET(该标题为二段式标题)
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内容纠错:无
软文行业:科技
内容标签: 电感(0.924054)mosfet(0.912934)半导体封装(0.822725)pfc(0.741703)
内容核心词:封装开关损耗PFC引脚
软文摘要:"TO-263-7L带来的开关性能改善除了TO-247-4L封装外,罗姆还开发出采用TO-263-7L表贴封装,使分立SiC MOSFET产品阵容更加丰富。为了量化新封装形式带来的元器件性能改进程度,我们比较了采用两种不同封装的相同SiC MOSFET芯片的导通和关断时的开关动作(图4)。而对于采用具备驱动器源极的表贴封装的“SCT3040KW7”来说,电流变化时间则变得非常短,因此可以减少导通损耗。另外,由于寄生电感减少,因此采用TO-263-7L封装的SiC MOSFET在关断时的dI\/dt要高得多,因此关断损耗也小于TO-247N封装。在仿真中,我们对采用TO-263-7L 封装的650V\/60mΩ SiC MOSFET 的开关损耗测量值进行了验证。然而,很明显,在使用了650V SiC MOSFET的图腾柱PFC中,可以实现高性能的PFC电路。"
分词提取:Totem,PFC,功率晶体管,ID,IG,VGS,开尔文,VDS,SCT3040KL,SCT3040KW7,dI/,封装器件,肖特基势垒二极管,SBD,车载充电器,整流电路,电流有效值,宽带隙半导体,SiC,硬开关,SJ MOSFET,kHz,无源元件,Vin,Vout =,400V,fSW,SCT3060AW7,电感表,栅极环路,表贴,导通,RDS
词性 | 统计 | 词性 | 统计 | 词性 | 统计 | 词性 | 统计 |
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普通名词 | 439 | 方位名词 | 44 | 处所名词 | 0 | 时间名词 | 0 |
人名 | 0 | 地名 | 1 | 机构团体名 | 3 | 作品名 | 0 |
其他专名 | 69 | 普通动词 | 269 | 动副词 | 0 | 名动词 | 139 |
形容词 | 59 | 副形词 | 7 | 名形词 | 2 | 副词 | 51 |
数量词 | 100 | 量词 | 4 | 代词 | 33 | 介词 | 60 |
连词 | 69 | 助词 | 137 | 其他虚词 | 8 | 标点符号 | 305 |
原文句数:59,阅读时间 ≈ 6分26秒,朗读时间 ≈ 16分6秒
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