英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路

并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管微缩。这些创新在个人电脑、图形处理器和数据中心领域带来了功耗和成本的持续降低和性能的不断增长。包括RibbonFET全环绕栅极(GAA)晶体管、PowerVia背面供电技术和EMIB、Foveros Direct等突破性的封装技术。  英特尔组件研究团队所研发的新材料和工艺模糊了封装和芯片制造之间的界限。
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